据techpowerup报道，台积电正在开发包括N3.N3B和N3E多个节点在内的3nm工艺。

据了解，台积电原计划于2022年下半年量产N3节点，2023年下半年量产N3E计划。

但由于N3E节点作为3nm简化版，量产率较高，台积电希望尽快商业化，可能提前到2023年上半年。

N3E的工艺流程已经提前准备好，工艺流程将在本月底确定。

据悉，N3E在N3的基础上降低了EUV光罩层数，从25层降低到21层，逻辑密度降低了8%，但仍高于5nmN5工艺节点60%，性能更好。功耗和产量。

相比之下，据说N3的逻辑密度比N5高70%。

还有N3B，据说是一些客户N3的改进版，但我们对N3B节点知之甚少。

N3E和N3B都不是用来取代N3的，只是让客户有更多的选择，在不同的产品上有更好的性能和功耗。